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技術(shù)文章
2025-1011
光纖光譜儀憑借快速、非接觸、高靈敏度的特性,在多個(gè)行業(yè)中發(fā)揮關(guān)鍵作用,其應(yīng)用場(chǎng)景呈現(xiàn)多元化特點(diǎn):?科研與實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)域是核心應(yīng)用場(chǎng)景。它可用于光致發(fā)光光譜分析、激光誘導(dǎo)擊穿光譜(LIBS)研究,以及太陽(yáng)能電池材料的光吸收特性測(cè)試,如鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)電池的性能評(píng)估。在化學(xué)與生物研究中,能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué),通過(guò)熒光光譜分析生物分子結(jié)構(gòu),為新材料研發(fā)提供數(shù)據(jù)支撐。?工業(yè)質(zhì)量控制中,光纖光譜儀實(shí)現(xiàn)全流程監(jiān)控。食品飲料行業(yè)通過(guò)近紅外光譜快速檢測(cè)成分,如某化工企業(yè)采用SGM1700型號(hào)...
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2025-924
車(chē)燈檢測(cè)系統(tǒng)的使用需遵循“樣品準(zhǔn)備-設(shè)備調(diào)試-參數(shù)檢測(cè)-結(jié)果判定”的標(biāo)準(zhǔn)化流程,核心是通過(guò)專(zhuān)業(yè)設(shè)備模擬實(shí)際照明場(chǎng)景,精準(zhǔn)驗(yàn)證車(chē)燈的光性能與安全合規(guī)性,操作需結(jié)合設(shè)備規(guī)范與檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。一、核心使用流程1.前期準(zhǔn)備與設(shè)備調(diào)試樣品預(yù)處理:將待檢測(cè)車(chē)燈(如前照燈、轉(zhuǎn)向燈)按實(shí)際裝車(chē)狀態(tài)固定在專(zhuān)用夾具上,確保燈體位置與角度和裝車(chē)時(shí)一致;連接符合標(biāo)準(zhǔn)的電源,檢查車(chē)燈線路是否接觸良好,避免因供電不穩(wěn)影響檢測(cè)結(jié)果。設(shè)備校準(zhǔn)與環(huán)境設(shè)定:?jiǎn)?dòng)檢測(cè)系統(tǒng)后,用標(biāo)準(zhǔn)光源對(duì)光強(qiáng)計(jì)、光譜儀等核心部件進(jìn)行校準(zhǔn)...
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2025-924
在光譜分析、輻射測(cè)量等高精度檢測(cè)領(lǐng)域,光電倍增管作為核心探測(cè)元件,其性能穩(wěn)定性直接決定檢測(cè)數(shù)據(jù)的可靠性。隨著使用時(shí)長(zhǎng)增加,PMT易受高壓漂移、光陰極老化等因素影響,導(dǎo)致靈敏度下降、線性度偏差,因此建立科學(xué)的定期校準(zhǔn)流程,成為保障檢測(cè)精度的核心舉措。PMT校準(zhǔn)需遵循“環(huán)境準(zhǔn)備-性能測(cè)試-參數(shù)調(diào)整-驗(yàn)證確認(rèn)”的閉環(huán)流程,且需在符合GB/T19562-2008《光電倍增管測(cè)試方法》的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中開(kāi)展。首先是校準(zhǔn)前準(zhǔn)備,需將實(shí)驗(yàn)室溫度控制在23±2℃,濕度保持45%-6...
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2025-922
在LED照明產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的當(dāng)下,燈具的光性能與質(zhì)量穩(wěn)定性直接決定產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,而成像亮度色度計(jì)憑借其高精度、高效率的檢測(cè)能力,已成為L(zhǎng)ED燈具研發(fā)、生產(chǎn)及質(zhì)量管控環(huán)節(jié)中的核心設(shè)備,為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。成像亮度色度計(jì)的核心優(yōu)勢(shì)在于將光學(xué)檢測(cè)從“點(diǎn)測(cè)量”升級(jí)為“面測(cè)量”。傳統(tǒng)亮度計(jì)需逐點(diǎn)采集數(shù)據(jù),不僅效率低下,還難以完整呈現(xiàn)燈具整體光分布狀態(tài),而它通過(guò)高分辨率光學(xué)成像系統(tǒng)與精密色度分析算法,可一次性捕捉LED燈具的二維亮度分布圖像,同時(shí)精準(zhǔn)計(jì)算出不同區(qū)域的亮度值(單位...
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2025-919
半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)不斷的進(jìn)步,芯片制成工藝越來(lái)越精細(xì)化,同時(shí)必然會(huì)導(dǎo)致保持良品率的挑戰(zhàn)難度越來(lái)越高,而一塊潔凈,均一,完*的晶圓(wafer)是后續(xù)所有工藝有效實(shí)施的前提。為了保證質(zhì)量,*理想的狀態(tài)是晶圓出廠前每片一檢并分類(lèi)保證其出廠品質(zhì);而在進(jìn)行精細(xì)制程前也每片一檢并分類(lèi),用于進(jìn)一步規(guī)避晶圓轉(zhuǎn)運(yùn),存儲(chǔ)等環(huán)節(jié)不當(dāng)操作造成的污染。因此帶來(lái)了無(wú)圖型晶圓)檢測(cè)應(yīng)用的兩個(gè)需求要點(diǎn):第一是最小靈敏度,即設(shè)備能夠檢測(cè)到晶圓表面缺陷的最小尺度,最好成做到與芯片制程有可比性的小尺度。第二是吞吐量...
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